Параметр | Диапазоны измерения | Погрешность |
Пост. напряжение |
200 мВ/2 В/20 В/200 В |
±(0.5% + 3) |
1000 В |
±(0.8% + 10) |
Перем. напряжение |
200 мВ/2 В/20 В/200 В |
±(0.8% + 5) |
750 В |
±(1.2% + 10) |
Пост. ток |
200 мкА/2 мА/20 мА/200 мА |
±(0.8% + 10) |
20 А |
±(2.0% + 5) |
Перем. ток |
200 мкА/2 мА/20 мА/200 мА |
±(0.8% + 10) |
20 А |
±(2.0% + 5) |
Сопротивление |
200 Ом |
±(0.8% + 5) |
2 кОм/20 кОм/200 кОм/2 МОм |
±(0.8% + 3) |
20 МОм |
±(1.0% + 25) |
200 МОм |
±(5.0% + 30) |
Ёмкость |
20 нФ/200 нФ/2 мкФ/20 мкФ |
±(3.5% + 20) |
200 мкФ/2 мФ |
±(5.0% + 10) |
Индуктивность |
2 мГн/20 мГн/200 мГн/2 Гн/20 Гн |
±(2.5% + 30) |
Частота |
10 Гц/100 Гц/1 кГц/10 кГц/100 кГц/1 МГц/20 МГц |
±(0.1% + 3) |
Температура |
-20℃~400℃/-4℉~752℉ |
±(1.0% + 5) |
400℃~1000℃/752℉~1832℉ |
±(1.5% + 15) |
Диодный тест |
Индицируется приближенное значение прямого падения напряжения на диоде |
"Прозвонка" |
При сопротивлении цепи менее (70±20) Ом включается звуковой сигнал |
hFE |
Индицируется приближенное значение hFE (0-1000) проверяемого транзистора (любого типа) |
Погрешность определяется как ±(% от показания + число значений единицы младшего разряда).